MOSFET, N-Canal Vishay SIA4620DJ-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 9 A, Mejora, PowerPAK de 6 pines
- Código RS:
- 904-973
- Nº ref. fabric.:
- SIA4620DJ-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 unidad, en cinta de 1)*
0,37 €
(exc. IVA)
0,45 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 22 de febrero de 2027
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Tira(s) | Por Tira |
|---|---|
| 1 - 24 | 0,37 € |
| 25 - 99 | 0,24 € |
| 100 + | 0,14 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 904-973
- Nº ref. fabric.:
- SIA4620DJ-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 9A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Encapsulado | PowerPAK | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.023Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 17.9W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 4.4nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | ROHS | |
| Longitud | 2.05mm | |
| Anchura | 2.05mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 9A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie TrenchFET | ||
Encapsulado PowerPAK | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.023Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 17.9W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 4.4nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares ROHS | ||
Longitud 2.05mm | ||
Anchura 2.05mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- IL
El MOSFET de canal N de Vishay está diseñado para una gestión eficiente de la potencia. Destaca en diversas aplicaciones gracias a sus métricas de alto rendimiento y a su embalaje compacto, lo que lo convierte en ideal para los diseños electrónicos modernos.
Funciona a una tensión máxima de drenaje-fuente de 60 V
Dispone de baja resistencia en estado activo para mejorar la eficiencia
Ofrece una corriente de drenaje continua de hasta 8,6 A a 25 °C
Incluye pruebas exhaustivas de fiabilidad y rendimiento
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET VDSS 12 V Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, PowerPAK (8x8L) de 4 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, PowerPAK de 4 pines
- MOSFET VDSS -20 V Mejora, PowerPAK SC-70 de 6 pines
- MOSFET VDSS -20 V Mejora, PowerPAK 1212-8SH de 8 pines
- MOSFET VDSS 100 V PowerPAK
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines