MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiRA12BDP-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 74 A, Mejora, PowerPAK SO-8 de 8 pines
- Código RS:
- 735-113
- Nº ref. fabric.:
- SiRA12BDP-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 735-113
- Nº ref. fabric.:
- SiRA12BDP-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 74A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | PowerPAK SO-8 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.006Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 21nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 38W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 6.25mm | |
| Altura | 1.1mm | |
| Anchura | 5.3mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 74A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado PowerPAK SO-8 | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.006Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 21nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 38W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 6.25mm | ||
Altura 1.1mm | ||
Anchura 5.3mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- TW
El MOSFET de canal N de Vishay está diseñado para una conmutación de potencia eficiente y fiable en electrónica de potencia de alto rendimiento. Está completamente probado Rg y UIS para garantizar la robustez bajo tensión eléctrica y condiciones de funcionamiento exigentes. Optimizado para bajas pérdidas y conmutación rápida, admite diseños compactos de alta densidad de potencia al tiempo que cumple requisitos conformes con RoHS y sin halógenos.
Ofrece pruebas al 100 % Rg y UIS para una fiabilidad probada del dispositivo
Admite aplicaciones de convertidor dc/dc de alta densidad de potencia
Permite un rendimiento de rectificación síncrono eficiente
Cumple los estándares RoHS y los requisitos sin halógenos
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