MOSFET, Canal N-Canal Vishay SiRS4302DP, VDSS 30 V, ID 518 A, Mejora, PowerPAK SO-8S de 8 pines

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Código RS:
735-148
Nº ref. fabric.:
SiRS4302DP
Fabricante:
Vishay
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Tipo de canal

Canal N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

518A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

SiR

Encapsulado

PowerPAK SO-8S

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.00057Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

153nC

Tensión directa Vf

30V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Disipación de potencia máxima Pd

245W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Anchura

5mm

Altura

2mm

Longitud

6mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
TW
MOSFET de canal N de Vishay con valor nominal para tensión de drenaje-fuente de 60 V, optimizado para conmutación de alta eficiencia en convertidores dc/dc de servidor de potencia de IA y circuitos de rectificación síncronos. Alcanza una resistencia de conexión muy baja de 1,7 mΩ máximo a un accionamiento de puerta de 10 V para pérdidas de conducción mínimas en aplicaciones de alta corriente

Corriente de drenaje continua de 87 A a TA=25 °C

Figura de mérito RDS(on) x Qg baja para un rendimiento de conmutación superior

Construcción 100 % probada Rg y UIS

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