MOSFET, Canal N-Canal Vishay SiRS4302DP, VDSS 30 V, ID 518 A, Mejora, PowerPAK SO-8S de 8 pines

La imagen representada puede no ser la del producto

Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 unidad)*

2,87 €

(exc. IVA)

3,47 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 14 de septiembre de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"

Unidad(es)
Por unidad
1 - 92,87 €
10 - 241,86 €
25 - 991,02 €
100 - 4991,01 €
500 +1,00 €

*precio indicativo

Código RS:
735-148
Nº ref. fabric.:
SiRS4302DP
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Vishay

Tipo de canal

Canal N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

518A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

PowerPAK SO-8S

Serie

SiR

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.00057Ω

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

245W

Tensión directa Vf

30V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

153nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Longitud

6mm

Altura

2mm

Anchura

5mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
TW
MOSFET de canal N de Vishay con valor nominal para tensión de drenaje-fuente de 60 V, optimizado para conmutación de alta eficiencia en convertidores dc/dc de servidor de potencia de IA y circuitos de rectificación síncronos. Alcanza una resistencia de conexión muy baja de 1,7 mΩ máximo a un accionamiento de puerta de 10 V para pérdidas de conducción mínimas en aplicaciones de alta corriente

Corriente de drenaje continua de 87 A a TA=25 °C

Figura de mérito RDS(on) x Qg baja para un rendimiento de conmutación superior

Construcción 100 % probada Rg y UIS

Enlaces relacionados