MOSFET, Canal N-Canal Vishay SiRS4400DP, VDSS 40 V, ID 473 A, Mejora, PowerPAK SO-8S de 8 pines

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Código RS:
735-143
Nº ref. fabric.:
SiRS4400DP
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Canal N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

473A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

PowerPAK SO-8S

Serie

SiR

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.00069Ω

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

278W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

195nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

40V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

5mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Longitud

6mm

Altura

2mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
MOSFET de canal N de Vishay con valor nominal para tensión de drenaje-fuente de 60 V, optimizado para conmutación de alta eficiencia en convertidores dc/dc de servidor de potencia de IA y circuitos de rectificación síncronos. Alcanza una resistencia de conexión muy baja de 1,7 mΩ máximo a un accionamiento de puerta de 10 V para pérdidas de conducción mínimas en aplicaciones de alta corriente

Disipación de potencia máxima de 278 W a TC=25 °C

Carga de puerta total típica de 195 nC

100 % probado Rg y UIS para mayor fiabilidad

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