MOSFET, Canal N-Canal Vishay SiRS5800DP, VDSS 80 V, ID 265 A, Mejora, PowerPAK SO-8S de 8 pines

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Código RS:
735-133
Nº ref. fabric.:
SiRS5800DP
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Canal N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

265A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Serie

SiR

Encapsulado

PowerPAK SO-8S

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0018Ω

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

240W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

81nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

80V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

5mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Altura

2mm

Longitud

6mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
MOSFET de canal N de Vishay con valor nominal para tensión de drenaje-fuente de 80 V, optimizado para rectificación síncrona de baja pérdida en convertidores reductores de servidor de potencia de IA. Alcanza una resistencia de conexión líder en el sector de 1,8 mΩ máximo a un accionamiento de puerta de 10 V para una eficiencia superior en condiciones de alta carga.

Corriente nominal de drenaje por pulsos 265 A

Carga de puerta total típica de 81 nC

Resistencia térmica de 52 °C/W de unión a carcasa

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