MOSFET, Canal N-Canal Vishay SiRS4600DP, VDSS 60 V, ID 359 A, Mejora, PowerPAK SO-8S de 8 pines

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Código RS:
735-137
Nº ref. fabric.:
SiRS4600DP
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Canal N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

359A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

SiR

Encapsulado

PowerPAK SO-8S

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.00115Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

60V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

108nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

278W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

5mm

Longitud

6mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Altura

2mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
MOSFET de canal N de Vishay con valor nominal para tensión de drenaje-fuente de 60 V, diseñado para conmutación de pérdida ultrabaja en aplicaciones de servidor de potencia de IA y convertidores dc/dc de alta corriente. Dispone de una resistencia de conexión líder del sector de 1,2 mΩ máximo a un accionamiento de puerta de 10 V para maximizar la eficiencia en topologías de rectificación síncrona.

Corriente de drenaje continua 334 A a TC=25 °C

Figura de mérito RDS(on) x Qg baja para una eficiencia de conmutación óptima

100 % probado Rg y UIS para mayor fiabilidad

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