MOSFET, Canal N-Canal Vishay SISS64DN-T1-UE3, VDSS 30 V, ID 40 A, Mejora, PowerPAK 1212-8S de 8 pines
- Código RS:
- 736-356
- Nº ref. fabric.:
- SISS64DN-T1-UE3
- Fabricante:
- Vishay
Subtotal (1 tira de 1 unidad)*
0,98 €
(exc. IVA)
1,19 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 06 de julio de 2027
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Tira(s) | Por Tira |
|---|---|
| 1 + | 0,98 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 736-356
- Nº ref. fabric.:
- SISS64DN-T1-UE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Canal N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 40A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Serie | SISS64DN | |
| Encapsulado | PowerPAK 1212-8S | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.0021Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 21nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 57W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 3.3mm | |
| Longitud | 3.3mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 40A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Serie SISS64DN | ||
Encapsulado PowerPAK 1212-8S | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0021Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 21nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 57W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 3.3mm | ||
Longitud 3.3mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- IL
El MOSFET de canal N de Vishay está diseñado para una gestión eficiente de la potencia en diversas aplicaciones, lo que garantiza un funcionamiento fiable en condiciones exigentes con características avanzadas para reducir las pérdidas de conmutación.
Admite aplicaciones de rectificación síncrona y alta densidad de potencia
Resistencia en estado activo ultrabaja con tensiones de puerta especificadas
Alta corriente nominal de drenaje continuo para cargas exigentes
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, PowerPAK 1212-8S de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, PowerPAK 1212-8S de 8 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, PowerPAK 1212-8S de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, PowerPAK 1212-8S de 8 pines
- MOSFET VDSS -20 V Mejora, PowerPAK 1212-8S de 8 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, 1212-8S de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, PowerPAK 1212-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, PowerPAK 1212-8S de 8 pines