MOSFET, N-Canal Vishay SISS64DN-T1-UE3, VDSS 30 V, ID 40 A, Mejora, PowerPAK 1212-8S de 8 pines

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Código RS:
736-356
Nº ref. fabric.:
SISS64DN-T1-UE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

40A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

PowerPAK 1212-8S

Serie

SISS64DN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0021Ω

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

57W

Tensión directa Vf

1.1V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

21nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

3.3mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Anchura

3.3mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
IL
El MOSFET de canal N de Vishay está diseñado para una gestión eficiente de la potencia en diversas aplicaciones, lo que garantiza un funcionamiento fiable en condiciones exigentes con características avanzadas para reducir las pérdidas de conmutación.

Admite aplicaciones de rectificación síncrona y alta densidad de potencia

Resistencia en estado activo ultrabaja con tensiones de puerta especificadas

Alta corriente nominal de drenaje continuo para cargas exigentes

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