MOSFET, Canal N-Canal Vishay SISS64DN-T1-UE3, VDSS 30 V, ID 40 A, Mejora, PowerPAK 1212-8S de 8 pines

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Código RS:
736-356
Nº ref. fabric.:
SISS64DN-T1-UE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Canal N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

40A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

SISS64DN

Encapsulado

PowerPAK 1212-8S

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0021Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

21nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

57W

Tensión directa Vf

1.1V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

3.3mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Longitud

3.3mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
IL
El MOSFET de canal N de Vishay está diseñado para una gestión eficiente de la potencia en diversas aplicaciones, lo que garantiza un funcionamiento fiable en condiciones exigentes con características avanzadas para reducir las pérdidas de conmutación.

Admite aplicaciones de rectificación síncrona y alta densidad de potencia

Resistencia en estado activo ultrabaja con tensiones de puerta especificadas

Alta corriente nominal de drenaje continuo para cargas exigentes

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