MOSFET, Canal N-Canal Vishay SISS126DN-T1-UE3, VDSS 80 V, ID 54.7 A, Mejora, PowerPAK 1212-8 de 8 pines

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Código RS:
735-130
Nº ref. fabric.:
SISS126DN-T1-UE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Canal N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

54.7A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Serie

SISS126DN

Encapsulado

PowerPAK 1212-8

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.00825Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.1V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Disipación de potencia máxima Pd

57W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

19.6nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

3.3mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Longitud

3.3mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
IL
El MOSFET de canal N de Vishay está diseñado para una eficiencia óptima en aplicaciones de gestión de potencia, lo que proporciona un alto rendimiento mientras funciona dentro de los límites especificados.

Funciona con una tensión de drenaje a fuente de 80 V para un rendimiento fiable

Muestra una resistencia en estado activo muy baja para minimizar la pérdida de potencia

Ofrece una alta corriente nominal de drenaje continuo de hasta 54,7 A

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