MOSFET, Canal P-Canal Vishay SISS5207DN-T1-UE3, VDSS -20 V, ID -136.7 A, Mejora, PowerPAK 1212-8S de 8 pines

Subtotal (1 unidad)*

0,82 €

(exc. IVA)

0,99 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Información relativa a las existencias no accesible actualmente - Vuelva a comprobarlo más tarde
Unidad(es)
Por unidad
1 +0,82 €

*precio indicativo

Código RS:
735-204
Nº ref. fabric.:
SISS5207DN-T1-UE3
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Tipo de canal

Canal P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

-136.7A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

-20V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

PowerPAK 1212-8S

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.011Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

139nC

Disipación de potencia máxima Pd

65.7W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

0.83mm

Longitud

3.4mm

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Anchura

3.4mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de canal P de 20 V de Vishay está diseñado para una conmutación de carga eficiente en diseños electrónicos compactos. Combina un rendimiento fiable con un cumplimiento respetuoso con el medio ambiente, lo que garantiza un funcionamiento seguro y sostenible. Su capacidad de baja tensión lo convierte en ideal para aplicaciones de consumo y automoción modernas que requieren soluciones de conmutación fiables.

Garantiza el cumplimiento de la directiva RoHS para la seguridad ambiental

Estructura sin halógenos para un uso más seguro

Ofrece idoneidad para aplicaciones de conmutación de carga

Enlaces relacionados

Mantente al día de nuestras novedades y ofertas

Introduce tu dirección de correo

La información personal que nos proporciones al suscribirte se procesará de acuerdo con nuestra política de privacidad.