MOSFET, Canal P-Canal Vishay SISS5207DN-T1-UE3, VDSS -20 V, ID -136.7 A, Mejora, PowerPAK 1212-8S de 8 pines

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Código RS:
735-204
Nº ref. fabric.:
SISS5207DN-T1-UE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Canal P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

-136.7A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

-20V

Encapsulado

PowerPAK 1212-8S

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.011Ω

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

65.7W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

139nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

3.4mm

Altura

0.83mm

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de canal P de 20 V de Vishay está diseñado para una conmutación de carga eficiente en diseños electrónicos compactos. Combina un rendimiento fiable con un cumplimiento respetuoso con el medio ambiente, lo que garantiza un funcionamiento seguro y sostenible. Su capacidad de baja tensión lo convierte en ideal para aplicaciones de consumo y automoción modernas que requieren soluciones de conmutación fiables.

Garantiza el cumplimiento de la directiva RoHS para la seguridad ambiental

Estructura sin halógenos para un uso más seguro

Ofrece idoneidad para aplicaciones de conmutación de carga

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