MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SISS52DN-T1-UE3, VDSS 30 V, ID 162 A, Mejora, 1212-8S de 8 pines

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Código RS:
279-9997
Nº ref. fabric.:
SISS52DN-T1-UE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

162A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

SISS

Encapsulado

1212-8S

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0012Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Disipación de potencia máxima Pd

57W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

65nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

3.3mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

El MOSFET de Vishay es un MOSFET de canal N y el transistor que contiene está fabricado de un material conocido como silicio.

MOSFET de potencia TrenchFET

Dispositivo completamente libre de plomo (Pb)

RDS muy bajo x Qg cifra de mérito

Probado al 100 % Rg y UIS

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