MOSFET Vishay SiSS52DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 162 A, POWERPAK 1212-8S de 8 pines

Código RS:: 210-5016
Nº ref. fabric.:: SiSS52DN-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay SiSS52DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 162 A, POWERPAK 1212-8S de 8 pines

14530 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 10)

0,774 €

(exc. IVA)

0,937 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
10 - 90	0,774 €	7,74 €
100 - 240	0,759 €	7,59 €
250 - 490	0,595 €	5,95 €
500 - 990	0,542 €	5,42 €
1000 +	0,434 €	4,34 €

*precio indicativo

Código RS:: 210-5016
Nº ref. fabric.:: SiSS52DN-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Documentación Técnica

Datasheet - SiSS52DN-T1-GE3

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

El MOSFET Vishay de canal N de 30 V (D-S) tiene un tipo de encapsulado POWERPAK 1212-8S.

MOSFET de alimentación TrenchFET Gen V.
Figura de mérito (FOM) RDS x QG muy baja
Permite una mayor densidad de potencia con RDS(on) y térmica muy bajas encapsulado compacto mejorado
100 % RG y prueba UIS

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	162 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	30 V
Tipo de Encapsulado	POWERPAK 1212-8S
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	0.00095 Ω
Tensión de umbral de puerta máxima	1 → 2.2V
Número de Elementos por Chip	1

MOSFET Vishay SiSS52DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 162 A, POWERPAK 1212-8S de 8 pines

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