MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiSS52DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 162 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines

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Código RS:
210-5016
Nº ref. fabric.:
SiSS52DN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

162A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

PowerPAK 1212

Serie

SiSS52DN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.95mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

43.2nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

16 V

Disipación de potencia máxima Pd

57W

Tensión directa Vf

1.1V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

0.83mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

3.4 mm

Longitud

3.4mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET Vishay de canal N de 30 V (D-S) tiene un tipo de encapsulado POWERPAK 1212-8S.

MOSFET de alimentación TrenchFET Gen V.

Figura de mérito (FOM) RDS x QG muy baja

Permite una mayor densidad de potencia con RDS(on) y térmica muy bajas encapsulado compacto mejorado

100 % RG y prueba UIS

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