MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiSS52DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 162 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
210-5016
Nº ref. fabric.:
SiSS52DN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

162A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

PowerPAK 1212

Serie

SiSS52DN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.95mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

16V

Tensión directa Vf

1.1V

Disipación de potencia máxima Pd

57W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

43.2nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

3.4mm

Anchura

3.4mm

Altura

0.83mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET Vishay de canal N de 30 V (D-S) tiene un tipo de encapsulado POWERPAK 1212-8S.

MOSFET de alimentación TrenchFET Gen V.

Figura de mérito (FOM) RDS x QG muy baja

Permite una mayor densidad de potencia con RDS(on) y térmica muy bajas encapsulado compacto mejorado

100 % RG y prueba UIS

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