MOSFET, Canal N-Canal Vishay SISS52DN-T1-BE3, VDSS 30 V, ID 162 A, Mejora, PowerPAK 1212-8S de 8 pines

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Código RS:
736-353
Nº ref. fabric.:
SISS52DN-T1-BE3
Fabricante:
Vishay
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Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Canal N

Corriente continua máxima de drenaje ld

162A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

SISS52DN

Encapsulado

PowerPAK 1212-8S

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.00095Ω

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

57W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

38nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

16V

Tensión directa Vf

1.1V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

3.3mm

Longitud

3.3mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
IL
El MOSFET de canal N de Vishay está diseñado para aplicaciones de conmutación robustas, lo que ofrece una excelente eficiencia y fiabilidad en soluciones de gestión de potencia.

Probado para un 100 % de R g y UIS, lo que garantiza una fiabilidad superior

La clasificación de conformidad de los materiales mejora la seguridad ambiental

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