MOSFET, Canal N-Canal Vishay SISS64DN-T1-BE3, VDSS 30 V, ID 40 A, Mejora, PowerPAK 1212-8S de 8 pines
- Código RS:
- 736-354
- Nº ref. fabric.:
- SISS64DN-T1-BE3
- Fabricante:
- Vishay
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Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Canal N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 40A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | PowerPAK 1212-8S | |
| Serie | SISS64DN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.0021Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 21nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 57W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 3.3mm | |
| Longitud | 3.3mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 40A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado PowerPAK 1212-8S | ||
Serie SISS64DN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0021Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 21nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 57W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 3.3mm | ||
Longitud 3.3mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- IL
El MOSFET de potencia de Vishay ofrece un rendimiento excepcional con su configuración de canal N. Diseñado principalmente para aplicaciones de conmutación eficientes, optimiza la gestión de potencia en varios circuitos electrónicos, lo que garantiza un funcionamiento fiable en condiciones exigentes.
Incorpora la tecnología TrenchFET Gen IV para mejorar la eficiencia
Las relaciones Qg, Qgd y Qgs optimizadas reducen las pérdidas de conmutación
Corriente nominal de drenaje continua de hasta 40 A para un rendimiento robusto
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