MOSFET, N-Canal Vishay SISS30DN-T1-BE3, VDSS 80 V, ID 54.7 A, Mejora, PowerPAK 1212-8S de 8 pines

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 tira de 1 unidad)*

1,19 €

(exc. IVA)

1,44 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Información relativa a las existencias no accesible actualmente - Vuelva a comprobarlo más tarde
Tira(s)
Por Tira
1 +1,19 €

*precio indicativo

Código RS:
736-352
Nº ref. fabric.:
SISS30DN-T1-BE3
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Vishay

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

54.7A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Serie

SISS30DN

Encapsulado

PowerPAK 1212-8S

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.00825Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

26nC

Tensión directa Vf

1.1V

Disipación de potencia máxima Pd

57W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

3.3mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Longitud

3.3mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
IL
El MOSFET de canal N de Vishay está diseñado para aplicaciones eficientes de rectificación síncrona y conversión de potencia. Ofrece una excelente estabilidad de rendimiento en entornos exigentes.

La tecnología TrenchFET Gen IV mejora la eficiencia eléctrica

La resistencia de conexión muy baja minimiza las pérdidas de energía durante el funcionamiento

Enlaces relacionados