MOSFET, Canal N-Canal Vishay SISS30DN-T1-BE3, VDSS 80 V, ID 54.7 A, Mejora, PowerPAK 1212-8S de 8 pines
- Código RS:
- 736-352
- Nº ref. fabric.:
- SISS30DN-T1-BE3
- Fabricante:
- Vishay
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Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Canal N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 54.7A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Serie | SISS30DN | |
| Encapsulado | PowerPAK 1212-8S | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.00825Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 26nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 57W | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 3.3mm | |
| Anchura | 3.3mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 54.7A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Serie SISS30DN | ||
Encapsulado PowerPAK 1212-8S | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.00825Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 26nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 57W | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 3.3mm | ||
Anchura 3.3mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- IL
El MOSFET de canal N de Vishay está diseñado para aplicaciones eficientes de rectificación síncrona y conversión de potencia. Ofrece una excelente estabilidad de rendimiento en entornos exigentes.
La tecnología TrenchFET Gen IV mejora la eficiencia eléctrica
La resistencia de conexión muy baja minimiza las pérdidas de energía durante el funcionamiento
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