MOSFET, Canal N-Canal Vishay SISS26DN-T1-BE3, VDSS 60 V, ID 60 A, Mejora, PowerPAK 1212-8S de 8 pines

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Código RS:
736-350
Nº ref. fabric.:
SISS26DN-T1-BE3
Fabricante:
Vishay
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Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Canal N

Corriente continua máxima de drenaje ld

60A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

SISS26DN

Encapsulado

PowerPAK 1212-8S

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0045Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.1V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

24.5nC

Disipación de potencia máxima Pd

57W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Anchura

3.3mm

Longitud

3.3mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
IL
El MOSFET de canal N de Vishay está diseñado para aplicaciones de gestión de potencia eficientes. Funciona de manera eficaz a altas tensiones con baja resistencia de conexión, lo que lo convierte en ideal para rectificación síncrona y convertidores dc-dc.

Valor nominal para una tensión de drenaje-fuente de 60 V, lo que garantiza un funcionamiento robusto

Optimizado para una pérdida de potencia mínima en diversas aplicaciones

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