MOSFET, Canal N-Canal Vishay SISS26DN-T1-UE3, VDSS 60 V, ID 60 A, Mejora, PowerPAK 1212-8S de 8 pines
- Código RS:
- 736-351
- Nº ref. fabric.:
- SISS26DN-T1-UE3
- Fabricante:
- Vishay
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- 736-351
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- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Canal N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 60A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | SISS26DN | |
| Encapsulado | PowerPAK 1212-8S | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.0045Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 24.5nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 57W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 3.3mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 3.3mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 60A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie SISS26DN | ||
Encapsulado PowerPAK 1212-8S | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0045Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 24.5nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 57W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 3.3mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 3.3mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- IL
El MOSFET de canal N de Vishay está diseñado para aplicaciones de gestión de potencia, con especificaciones robustas y un funcionamiento eficiente adaptado a entornos electrónicos exigentes.
La tecnología TrenchFET Gen IV garantiza un rendimiento y una eficiencia superiores
Capaz de manejar una tensión máxima de drenaje-fuente de 60 V
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