MOSFET, Canal P-Canal Vishay SIR5207DP-T1-UE3, VDSS -20 V, ID -136.7 A, Mejora, PowerPAK SO-8 de 8 pines
- Código RS:
- 735-202
- Nº ref. fabric.:
- SIR5207DP-T1-UE3
- Fabricante:
- Vishay
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 unidad)*
0,83 €
(exc. IVA)
1,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 22 de julio de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 24 | 0,83 € |
| 25 - 99 | 0,55 € |
| 100 - 499 | 0,29 € |
| 500 + | 0,28 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 735-202
- Nº ref. fabric.:
- SIR5207DP-T1-UE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Canal P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | -136.7A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | -20V | |
| Encapsulado | PowerPAK SO-8 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.0042Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±12 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 139nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 65.7W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 1.12mm | |
| Longitud | 6.25mm | |
| Anchura | 5.26 mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Canal P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld -136.7A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds -20V | ||
Encapsulado PowerPAK SO-8 | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0042Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±12 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 139nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 65.7W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 1.12mm | ||
Longitud 6.25mm | ||
Anchura 5.26 mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS -20 V Mejora, PowerPAK SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, PowerPAK SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET sencillos VDSS 70 V Mejora, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET sencillos VDSS 100 V Mejora, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET sencillos VDSS 70 V Mejora, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 30 V PowerPAK SO-8