MOSFET, Canal P-Canal Vishay SIR5207DP-T1-UE3, VDSS -20 V, ID -136.7 A, Mejora, PowerPAK SO-8 de 8 pines

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Código RS:
735-202
Nº ref. fabric.:
SIR5207DP-T1-UE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Canal P

Corriente continua máxima de drenaje ld

-136.7A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

-20V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

PowerPAK SO-8

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0042Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

65.7W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

139nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

1.12mm

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Longitud

6.25mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

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