MOSFET, Canal P-Canal Vishay SIR5205DP-T1-UE3, VDSS -20 V, ID -153.2 A, Mejora, PowerPAK SO-8 de 8 pines
- Código RS:
- 735-235
- Nº ref. fabric.:
- SIR5205DP-T1-UE3
- Fabricante:
- Vishay
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Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Canal P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | -153.2A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | -20V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Encapsulado | PowerPAK SO-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.0037Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 160nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 71.4W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 12V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Longitud | 6.15mm | |
| Anchura | 5.15mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Canal P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld -153.2A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds -20V | ||
Serie TrenchFET | ||
Encapsulado PowerPAK SO-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0037Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 160nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 71.4W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 12V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Longitud 6.15mm | ||
Anchura 5.15mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- IL
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