MOSFET, Canal N-Canal Vishay SIR532DP-T1-UE3, VDSS 30 V, ID 340 A, Mejora, PowerPAK SO-8 de 8 pines

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Código RS:
735-236
Nº ref. fabric.:
SIR532DP-T1-UE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Canal N

Corriente continua máxima de drenaje ld

340A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

PowerPAK SO-8

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.008Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

99.5nC

Disipación de potencia máxima Pd

104.1W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Longitud

6.15mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
IL

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