MOSFET, Canal N-Canal Vishay SIR532DP-T1-UE3, VDSS 30 V, ID 340 A, Mejora, PowerPAK SO-8 de 8 pines
- Código RS:
- 735-236
- Nº ref. fabric.:
- SIR532DP-T1-UE3
- Fabricante:
- Vishay
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Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Canal N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 340A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Encapsulado | PowerPAK SO-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.008Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 104.1W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 16V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 99.5nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 5.15mm | |
| Longitud | 6.15mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 340A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Serie TrenchFET | ||
Encapsulado PowerPAK SO-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.008Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 104.1W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 16V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 99.5nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 5.15mm | ||
Longitud 6.15mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- IL
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