MOSFET, Canal N-Canal Vishay SIR5404DP-T1-UE3, VDSS 40 V, ID 158 A, Mejora, PowerPAK SO-8 de 8 pines

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Código RS:
735-216
Nº ref. fabric.:
SIR5404DP-T1-UE3
Fabricante:
Vishay
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Tipo de canal

Canal N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

158A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

PowerPAK SO-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0026Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

61.5nC

Disipación de potencia máxima Pd

83.3W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Longitud

6.25mm

Anchura

5.26mm

Altura

1.12mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
IL
El MOSFET de canal N de Vishay está diseñado para la conversión y el control de potencia de alta eficiencia en sistemas electrónicos exigentes. Garantiza un rendimiento robusto con pruebas exhaustivas, al tiempo que mantiene el cumplimiento de estándares ambientales. Su versatilidad lo convierte en ideal para aplicaciones que requieren una rectificación fiable, soluciones dc/dc compactas y control de accionamiento de motor preciso.

Proporciona pruebas al 100 % Rg y UIS para una fiabilidad probada

Garantiza el cumplimiento de la directiva RoHS para la seguridad ambiental

Estructura sin halógenos para un diseño respetuoso con el medio ambiente

Admite rectificación síncrona para una conversión de potencia eficiente

Permite el control del accionamiento del motor con un rendimiento de conmutación fiable

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