MOSFET, Canal N-Canal Vishay SiRS4300DP, VDSS 30 V, ID 680 A, Mejora, PowerPAK SO-8S de 8 pines

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Código RS:
735-147
Nº ref. fabric.:
SiRS4300DP
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Canal N

Corriente continua máxima de drenaje ld

680A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

PowerPAK SO-8S

Serie

SiR

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0004Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

180nC

Disipación de potencia máxima Pd

278W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

30V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Anchura

5mm

Altura

2mm

Longitud

6mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de canal N de Vishay está clasificado para una tensión de drenaje de fuente de 30 V, diseñado para rectificación síncrona de pérdida ultrabaja en convertidores reductores de servidor de potencia de IA y sistemas de suministro de potencia de alta corriente. Alcanza una resistencia de conexión excepcionalmente baja de 400 μΩ a 10 V para maximizar la eficiencia en aplicaciones de alta densidad extrema.

Disipación de potencia nominal de 278 W

Construcción 100 % probada Rg y UIS

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