MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 30 V, ID 680 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines

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Código RS:
653-096
Nº ref. fabric.:
SIRS4300DP-T1-RE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

680A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

PowerPAK

Serie

SIRS4300DP

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.00040Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

84nC

Disipación de potencia máxima Pd

278W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

0.95mm

Longitud

6.10mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de canal N de Vishay está diseñado para conmutación de alta eficiencia en sistemas de alimentación compactos. Admite hasta 30 V de tensión de fuente de drenaje. Envasado en PowerPAK SO-8S, utiliza la tecnología TrenchFET Gen IV para proporcionar un RDS(on) ultrabajo, una carga de puerta reducida y un excelente rendimiento térmico.

Sin Pb

Sin halógenos

Cumplimiento de RoHS

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