MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 150 V, ID 144 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines
- Código RS:
- 653-129
- Nº ref. fabric.:
- SIRS5700DP-T1-RE3
- Fabricante:
- Vishay
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Tira(s) | Por Tira |
|---|---|
| 1 - 9 | 4,58 € |
| 10 - 24 | 4,42 € |
| 25 - 99 | 4,34 € |
| 100 - 499 | 3,72 € |
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- Código RS:
- 653-129
- Nº ref. fabric.:
- SIRS5700DP-T1-RE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 144A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 150V | |
| Encapsulado | PowerPAK | |
| Serie | SIRS5700DP | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.0056Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 55nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 278W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 0.95mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 144A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 150V | ||
Encapsulado PowerPAK | ||
Serie SIRS5700DP | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0056Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 55nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 278W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 0.95mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El MOSFET de canal N de Vishay está diseñado para conmutación de alta eficiencia en sistemas de alta densidad de potencia. Admite hasta 150 V de tensión de fuente de drenaje. Envasado en PowerPAK SO-8S, utiliza la tecnología TrenchFET Gen V para proporcionar un RDS(on) ultrabajo, una carga de puerta reducida y un excelente rendimiento térmico.
Sin Pb
Sin halógenos
Cumplimiento de RoHS
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