MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay SIRS5702DP-T1-RE3, VDSS 150 V, ID 119 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines

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Código RS:
653-130
Nº ref. fabric.:
SIRS5702DP-T1-RE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Corriente continua máxima de drenaje ld

119A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

150V

Serie

SIRS5702DP

Encapsulado

PowerPAK

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0072Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

44nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

245W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

6.10mm

Anchura

5.10 mm

Altura

0.95mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El MOSFET de canal N de Vishay está diseñado para conmutación de alta eficiencia en sistemas de alta densidad de potencia. Admite hasta 150 V de tensión de fuente de drenaje. Envasado en PowerPAK SO-8S, utiliza la tecnología TrenchFET Gen V para proporcionar un RDS(on) ultrabajo, una carga de puerta reducida y un excelente rendimiento térmico.

Sin Pb

Sin halógenos

Cumplimiento de RoHS

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