MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay SIR5812DP-T1-RE3, VDSS 80 V, ID 45.3 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines

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Código RS:
653-197
Nº ref. fabric.:
SIR5812DP-T1-RE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Corriente continua máxima de drenaje ld

45.3A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Encapsulado

PowerPAK

Serie

SIR5812DP

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0135Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

50W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

7.5nC

Tensión directa Vf

1.1V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

5.15mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

6.15 mm

Altura

1.04mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia de canal N Vishay TrenchFET Gen V tiene un valor nominal de tensión de fuente de drenaje de 80 V. Envasado en un PowerPAK SO-8, es ideal para convertidores dc/dc, rectificación síncrona, control de motores y conmutación de intercambio en caliente.

Sin Pb

Sin halógenos

Cumplimiento de RoHS

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