MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay SISS178LDN-T1-UE3, VDSS 70 V, ID 45.3 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines

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Código RS:
653-101
Nº ref. fabric.:
SISS178LDN-T1-UE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

45.3A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

70V

Encapsulado

PowerPAK

Serie

SISS178LDN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0135Ω

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

39W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

8.7nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia de canal N Vishay TrenchFET Gen IV tiene un valor nominal de 70 V de tensión de fuente de drenaje. Envasado en un PowerPAK 1212-8S compacto, es ideal para soluciones de alimentación de servidor AI, convertidores dc/dc y conmutación de carga.

Sin Pb

Sin halógenos

Cumplimiento de RoHS

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