MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay SISS176LDN-T1-UE3, VDSS 70 V, ID 42.3 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*

1.218,00 €

(exc. IVA)

1.473,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 6000 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
3000 +0,406 €1.218,00 €

*precio indicativo

Código RS:
653-099
Nº ref. fabric.:
SISS176LDN-T1-UE3
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Corriente continua máxima de drenaje ld

42.3A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

70V

Serie

SISS176LDN

Encapsulado

PowerPAK

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0125Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±12 V

Disipación de potencia máxima Pd

39W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

9.2nC

Tensión directa Vf

1.1V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

0.41mm

Anchura

3.30 mm

Longitud

3.30mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia de canal N Vishay TrenchFET Gen IV tiene una tensión de drenaje de fuente de 70 V y una corriente de drenaje continua de 42,3 A. Dispone de un encapsulado compacto de montaje en superficie PowerPAK 1212-8S, lo que lo convierte en ideal para convertidores dc/dc, rectificación síncrona, control de motores y conmutación de carga.

Sin Pb

Sin halógenos

Cumplimiento de RoHS

Enlaces relacionados