MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SIR5607DP-T1-UE3, VDSS 60 V, ID 90.9 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines

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Código RS:
653-196
Nº ref. fabric.:
SIR5607DP-T1-UE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

90.9A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

SIR5607DP

Encapsulado

PowerPAK

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.007Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

31.7nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

104W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

1.12mm

Longitud

6.25mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

5.26 mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de canal P de Vishay está diseñado para una conmutación eficiente en sistemas de alimentación compactos. Admite hasta 60 V de tensión de fuente de drenaje y está alojado en un encapsulado PowerPAK SO-8. Construido con tecnología TrenchFET Gen V, ofrece un RDS(on) muy bajo, lo que minimiza la caída de tensión y las pérdidas de conducción.

Sin Pb

Sin halógenos

Conforme a RoHS

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