MOSFET, N-Canal Vishay SIR608DP-T1-UE3, VDSS 45 V, ID 208 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines

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Código RS:
904-977
Nº ref. fabric.:
SIR608DP-T1-UE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

208A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

45V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

PowerPAK

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0012Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

50.5nC

Tensión directa Vf

1.1V

Disipación de potencia máxima Pd

104W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

6.15mm

Anchura

5.15mm

Certificaciones y estándares

ROHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
IL
El MOSFET de potencia de Vishay está diseñado para un rendimiento eficiente en aplicaciones de alta potencia, lo que ofrece una gestión fiable de la tensión de drenaje-fuente y la corriente. Desempeña un papel crucial en la mejora de la eficiencia energética en los sistemas electrónicos.

Diseño de canal N para optimizar la conductividad y el rendimiento

La tensión nominal máxima de drenaje a fuente de 45 V garantiza un funcionamiento robusto

La baja resistencia en estado activo mejora la eficiencia energética y el rendimiento térmico

Integrado con clasificación de avalancha para proteger contra picos de tensión excesivos

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