MOSFET, N-Canal Vishay SIR608DP-T1-BE3, VDSS 45 V, ID 208 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines

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Código RS:
904-976
Nº ref. fabric.:
SIR608DP-T1-BE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

208A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

45V

Encapsulado

PowerPAK

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0012Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Disipación de potencia máxima Pd

104W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

50.5nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.1V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

6.15mm

Anchura

5.15mm

Certificaciones y estándares

ROHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
IL
El MOSFET de potencia de Vishay está diseñado para proporcionar una conmutación eficiente y una alta densidad de potencia. Con un perfil de rendimiento robusto, presenta una baja resistencia de encendido, lo que garantiza un funcionamiento óptimo en aplicaciones de convertidores dc/dc.

El diseño TrenchFET Gen IV garantiza una excelente eficiencia

Tensión de ruptura de fuente de drenaje de 45 V para un rendimiento fiable

Baja resistencia en estado activo de 0,00120 ohmios a 10 V

Corriente de drenaje continua robusta de 208 A a 25 °C

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