MOSFET, Canal N-Canal Vishay SIR626LDP-T1-BE3, VDSS 60 V, ID 186 A, Mejora, PowerPAK SO-8 de 8 pines

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Código RS:
736-347
Nº ref. fabric.:
SIR626LDP-T1-BE3
Fabricante:
Vishay
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Tipo de canal

Canal N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

186A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

PowerPAK SO-8

Serie

SIR626LDP

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0015Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

41nC

Disipación de potencia máxima Pd

104W

Tensión directa Vf

1.1V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

5.15mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Longitud

6.15mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
IL
El MOSFET de potencia de Vishay ofrece un rendimiento excepcional para diversas aplicaciones, incluidas la rectificación síncrona y el accionamiento de motores, lo que garantiza la eficiencia en las soluciones de gestión de potencia.

La configuración de canal N permite una conmutación de alta eficiencia

Clasificaciones robustas que admiten entornos de alta temperatura de hasta 150 °C

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