MOSFET de potencia, Canal N-Canal Vishay SI3493DDV-T1-BE3, VDSS -20 V, ID -8 A, P, PowerPAK de 8 pines
- Código RS:
- 851-500
- Nº ref. fabric.:
- SI3493DDV-T1-BE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | Canal N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | -8A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | -20V | |
| Serie | SI34 | |
| Encapsulado | PowerPAK | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.024Ω | |
| Modo de canal | P | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 375W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 52.2nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 1.04mm | |
| Longitud | 6.05mm | |
| Certificaciones y estándares | AEC-Q101 Qualified | |
| Anchura | 5.25mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal Canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld -8A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds -20V | ||
Serie SI34 | ||
Encapsulado PowerPAK | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.024Ω | ||
Modo de canal P | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 375W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 52.2nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 1.04mm | ||
Longitud 6.05mm | ||
Certificaciones y estándares AEC-Q101 Qualified | ||
Anchura 5.25mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origen):
- DE
MOSFET de canal P de alto rendimiento de Vishay, diseñado para permitir aplicaciones de conmutación de potencia eficientes. Sus capacidades garantizan un funcionamiento fiable en rangos de tensión y corriente variables.
El MOSFET de canal P funciona eficazmente a -20 V con baja resistencia en estado activo
Capaz de manejar corrientes de drenaje pulsadas de hasta -32 A para aplicaciones exigentes
Los valores nominales de corriente de drenaje continuo de -7,5 A a 25 °C facilitan la gestión térmica
Tolerancia de tensión de fuente de puerta de ±8 V para mayor durabilidad en diversos circuitos
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