MOSFET, Canal N-Canal Vishay SIR680LDP-T1-BE3, VDSS 80 V, ID 130 A, Mejora, PowerPAK SO-8 de 8 pines

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Código RS:
736-348
Nº ref. fabric.:
SIR680LDP-T1-BE3
Fabricante:
Vishay
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Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Canal N

Corriente continua máxima de drenaje ld

130A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Serie

SIR680LDP

Encapsulado

PowerPAK SO-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0028Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

40nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Tensión directa Vf

1.1V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

104W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Longitud

6.15mm

Anchura

5.15mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
IL
El MOSFET de canal N de Vishay está diseñado para una gestión de potencia de alta eficiencia en diversas aplicaciones. Funciona de manera eficiente a 80 V y destaca en tareas de rectificación síncrona y conmutación de accionamiento de motor.

Incorpora tecnología trenchFET Gen IV para mejorar la eficiencia energética

Muestra un RDS(on) muy bajo de 0,0028 Ω a 10 V, lo que garantiza pérdidas de conducción mínimas

Valor nominal para una corriente de drenaje continua de 130 A, lo que lo convierte en adecuado para aplicaciones exigentes

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