MOSFET, N-Canal Vishay SIR680LDP-T1-RE3, VDSS 80 V, ID 130 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- Código RS:
- 210-5003
- Nº ref. fabric.:
- SIR680LDP-T1-RE3
- Fabricante:
- Vishay
Consigue un descuento por cantidad
Añade 50 más para ahorrar un 9%
Ver precios por cantidadSubtotal (1 paquete de 5 unidades)*
15,90 €
(exc. IVA)
19,25 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Últimas existencias de RS
- Última(s) 1520 unidad(es) disponible(s) para enviar desde otro centro de distribución
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* | Ahorro |
|---|---|---|---|
| 5 - 45 | 3,18 € | 15,90 € | - |
| 50 - 120 | 2,864 € | 14,32 € | 9% |
| 125 - 245 | 2,29 € | 11,45 € | 27% |
| 250 - 495 | 1,876 € | 9,38 € | 41% |
| 500 + | 1,594 € | 7,97 € | 49% |
*precio indicativo
- Código RS:
- 210-5003
- Nº ref. fabric.:
- SIR680LDP-T1-RE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 130A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Serie | SiR680LDP | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2.33mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 104W | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 90nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 6.25mm | |
| Altura | 1.12mm | |
| Anchura | 5.26mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 130A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Serie SiR680LDP | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.33mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 104W | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 90nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 6.25mm | ||
Altura 1.12mm | ||
Anchura 5.26mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET Vishay de canal N de 80 V (D-S) tiene un tipo de encapsulado POWERPAK SO-8 con una corriente de drenaje de 130 A.
MOSFET de alimentación TrenchFET® Gen IV
Figura de mérito (FOM) RDS - Qg muy baja
Ajustado para ofrecer la FOM RDS - Qoss más baja
100 % RG y prueba UIS
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, PowerPAK SO-8 de 8 pines
- MOSFET Vishay VDSS 60 V PowerPAK SO-8, Reducción de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 45 V Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, SO-8 de 8 pines