MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIR668DP-T1-RE3, VDSS 100 V, ID 65 A, Mejora, SO-8 de 8 pines

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 paquete de 2 unidades)*

2,88 €

(exc. IVA)

3,48 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 7366 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
2 +1,44 €2,88 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
134-9725
Nº ref. fabric.:
SIR668DP-T1-RE3
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

65A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

SO-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

5.05mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.1V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

72nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

104W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

6.25mm

Altura

1.12mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

5.26 mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal N, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


Enlaces relacionados