MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIR680DP-T1-RE3, VDSS 80 V, ID 100 A, Mejora, SO-8 de 8 pines

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Código RS:
134-9727
Nº ref. fabric.:
SIR680DP-T1-RE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

100A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Encapsulado

SO-8

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3.4mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.1V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

69.5nC

Disipación de potencia máxima Pd

104W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

1.12mm

Longitud

6.25mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

5.26 mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal N, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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