MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIR632DP-T1-RE3, VDSS 150 V, ID 29 A, Mejora, SO-8 de 8 pines

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Código RS:
134-9723
Nº ref. fabric.:
SIR632DP-T1-RE3
Fabricante:
Vishay
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Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

29A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

150V

Serie

SiR632DP

Encapsulado

SO-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

41mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

14nC

Disipación de potencia máxima Pd

69.5W

Tensión directa Vf

-1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

6.25mm

Altura

1.12mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal N, TrenchFET hasta Gen III, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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