MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIR692DP-T1-RE3, VDSS 250 V, ID 24.2 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- Código RS:
- 134-9731
- Nº ref. fabric.:
- SIR692DP-T1-RE3
- Fabricante:
- Vishay
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 paquete de 5 unidades)*
10,32 €
(exc. IVA)
12,485 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 6000 unidad(es) más para enviar a partir del 20 de julio de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,064 € | 10,32 € |
| 50 - 120 | 1,754 € | 8,77 € |
| 125 - 245 | 1,526 € | 7,63 € |
| 250 - 495 | 1,258 € | 6,29 € |
| 500 + | 0,988 € | 4,94 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 134-9731
- Nº ref. fabric.:
- SIR692DP-T1-RE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 24.2A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 250V | |
| Serie | SiR692DP | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 67mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 25.3nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 104W | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1.12mm | |
| Longitud | 6.25mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 24.2A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 250V | ||
Serie SiR692DP | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 67mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 25.3nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 104W | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1.12mm | ||
Longitud 6.25mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de canal N, TrenchFET hasta Gen III, Vishay Semiconductor
Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 250 V Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 150 V Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, SO-8 de 8 pines