MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 250 V, ID 24.2 A, Mejora, SO-8 de 8 pines

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Código RS:
134-9163
Nº ref. fabric.:
SIR692DP-T1-RE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

24.2A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

250V

Serie

SiR692DP

Encapsulado

SO-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

67mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1.1V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

25.3nC

Disipación de potencia máxima Pd

104W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

6.25mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

5.26 mm

Altura

1.12mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal N, TrenchFET hasta Gen III, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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