Nº ref. fabric.

MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 80 V, ID 146 A, Mejora, SO-8 de 8 pines

Código RS:: 228-2907
Nº ref. fabric.:: SiR580DP-T1-RE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 80 V, ID 146 A, Mejora, SO-8 de 8 pines

Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*

1.866,00 €

(exc. IVA)

2.259,00 €

(inc.IVA)

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Unidad(es)	Por unidad	Por Bobina*
3000 +	0,622 €	1.866,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 228-2907
Nº ref. fabric.:: SiR580DP-T1-RE3
Fabricante:: Vishay

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	146A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	80V
	Serie	TrenchFET
	Encapsulado	SO-8
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	2.7mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd	104W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	50.6nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Certificaciones y estándares	No
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Vishay
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 146A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V
	Serie TrenchFET
	Encapsulado SO-8
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.7mΩ
	Modo de canal Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd 104W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 50.6nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Certificaciones y estándares No
	Estándar de automoción No

Datasheet - SiR580DP-T1-RE3

El TrenchFET de canal N Vishay es un MOSFET de 80 V.

100 % Rg y UIS probados

MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 80 V, ID 146 A, Mejora, SO-8 de 8 pines

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