MOSFET, Canal N-Canal Vishay SiR580DP, VDSS 80 V, ID 146 A, Mejora, PowerPAK SO-8 de 8 pines

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Código RS:
735-135
Nº ref. fabric.:
SiR580DP
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Canal N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

146A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Encapsulado

PowerPAK SO-8

Serie

SiR

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0027Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

50.6nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

80V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Disipación de potencia máxima Pd

104W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

2mm

Anchura

6mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Longitud

7mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia de canal N de Vishay está clasificado para una tensión de drenaje de fuente de 80 V, ideal para conmutación de alta eficiencia en aplicaciones de servidor de potencia de IA y convertidor dc/dc. Proporciona una resistencia de conexión ultrabaja de 2,7 mΩ máximo a un accionamiento de puerta de 10 V para minimizar las pérdidas de conducción bajo cargas pesadas.

Corriente de drenaje continua de 146 A a TC=25 °C

Carga de puerta total máxima de 76 nC

Temperatura de unión de funcionamiento de -55 °C a +150 °C

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