MOSFET, N-Canal Vishay SIDR500EP-T1-RE3, VDSS 30 V, ID 421 A, Mejora, PowerPAK SO-8 de 8 pines

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Código RS:
735-149
Nº ref. fabric.:
SIDR500EP-T1-RE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

421A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

PowerPAK SO-8

Serie

SiD

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.00047Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

16V

Tensión directa Vf

30V

Disipación de potencia máxima Pd

150W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

120nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

7mm

Anchura

6mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Altura

2mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
IL
MOSFET de canal N de Vishay con valor nominal para tensión de drenaje-fuente de 60 V, optimizado para conmutación de alta eficiencia en convertidores dc/dc de servidor de potencia de IA y circuitos de rectificación síncronos. Alcanza una resistencia de conexión muy baja de 1,7 mΩ máximo a un accionamiento de puerta de 10 V para pérdidas de conducción mínimas en aplicaciones de alta corriente

Corriente de drenaje continua de 94 A a TA=25 °C

Carga de puerta total típica de 54,3 nC para una conmutación rápida

Rango de temperaturas de unión ampliado de -55 °C a +175 °C

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