MOSFET Vishay SIDR500EP-T1-RE3, VDSS 30 V, ID 421 A, PowerPAK SO-8DC de 8 pines

Código RS:: 252-0248
Nº ref. fabric.:: SIDR500EP-T1-RE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay SIDR500EP-T1-RE3, VDSS 30 V, ID 421 A, PowerPAK SO-8DC de 8 pines

Temporalmente fuera de stock. El producto se entregará cuando vuelva a estar disponible.

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 3000)

1,914 €

(exc. IVA)

2,316 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
3000 +	1,914 €	5.742,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 252-0248
Nº ref. fabric.:: SIDR500EP-T1-RE3
Fabricante:: Vishay

Documentación Técnica

Datasheet - SIDR500EP-T1-RE3

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

La línea de productos de MOSFET Vishay Siliconix incluye una amplia gama de tecnologías avanzadas. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El efecto de campo significa que están controlados por tensión. Los MOSFET de canal N contienen electrones adicionales que pueden moverse libremente. Son un tipo de canal más popular. Los MOSFET de canal N funcionan cuando se aplica una carga positiva al terminal de puerta.

MOSFET de potencia TrenchFET Gen V
RDS muy bajo x valor de mérito Qg (FOM)
Mayor densidad de potencia con RDS(on) muy bajo
Encapsulado compacto mejorado térmicamente

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	421 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	30 V
Tipo de Encapsulado	PowerPAK SO-8DC
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8

MOSFET Vishay SIDR500EP-T1-RE3, VDSS 30 V, ID 421 A, PowerPAK SO-8DC de 8 pines

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