MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 30 V, ID 421 A, Mejora, POWERPAK SO-8DC de 8 pines

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Código RS:
252-0248
Nº ref. fabric.:
SIDR500EP-T1-RE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

421A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

POWERPAK SO-8DC

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.00068mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.1V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

46.1nC

Disipación de potencia máxima Pd

150W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

5.15 mm

Longitud

6.15mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

La línea de productos de MOSFET Vishay Siliconix incluye una amplia gama de tecnologías avanzadas. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El efecto de campo significa que están controlados por tensión. Los MOSFET de canal N contienen electrones adicionales que pueden moverse libremente. Son un tipo de canal más popular. Los MOSFET de canal N funcionan cuando se aplica una carga positiva al terminal de puerta.

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