MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 100 V, ID 218 A, Reducción, POWERPAK SO-8DC de 8 pines

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Código RS:
239-8616
Nº ref. fabric.:
SiDR626LEP-T1-RE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

218A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

POWERPAK SO-8DC

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0021Ω

Modo de canal

Reducción

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

46.1nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

120W

Temperatura de funcionamiento máxima

125°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

6.15mm

Anchura

5.15 mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

El Vishay TrenchFET® es un MOSFET de canal N de potencia Gen IV que funciona a 60 V y 175 °C de temperatura. Este MOSFET se utiliza para microinversor solar, interruptor de accionamiento de motor y rectificación síncrona.

La función de refrigeración lateral superior proporciona una ubicación adicional para transferencia térmica

Resistencia muy baja

Probado conforme a UIS

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