MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIDR626EP-T1-RE3, VDSS 60 V, ID 227 A, Mejora, POWERPAK SO-8DC de 8 pines

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Código RS:
268-8284
Nº ref. fabric.:
SIDR626EP-T1-RE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

227A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

POWERPAK SO-8DC

Serie

SIDR

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.00174Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

102nC

Disipación de potencia máxima Pd

150W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

5.15mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
TW
El MOSFET de potencia de generación 4 de canal N TrenchFET de Vishay tiene una función de refrigeración superior que proporciona un lugar adicional para la transferencia térmica. Se utiliza en aplicaciones como rectificación síncrona, interruptor de accionamiento de motor, interruptor de batería y carga.

Ajustado para la cifra más baja de mérito

Conforme con ROHS

Probado por UIS al 100 por ciento

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