MOSFET Vishay SIRA90DP-T1-RE3, VDSS 30 V, ID 100 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines, , config. Simple

Código RS:: 134-9698
Nº ref. fabric.:: SIRA90DP-T1-RE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay SIRA90DP-T1-RE3, VDSS 30 V, ID 100 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines, , config. Simple

6000 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 5)

1,392 €

(exc. IVA)

1,684 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
5 - 45	1,392 €	6,96 €
50 - 120	1,184 €	5,92 €
125 - 245	1,114 €	5,57 €
250 - 495	1,044 €	5,22 €
500 +	0,974 €	4,87 €

*precio indicativo

Código RS:: 134-9698
Nº ref. fabric.:: SIRA90DP-T1-RE3
Fabricante:: Vishay

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET de canal N, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor

Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	30 V
Tipo de Encapsulado	PowerPAK SO-8
Serie	TrenchFET
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	1,15 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	2V
Tensión de umbral de puerta mínima	0.8V
Disipación de Potencia Máxima	104 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	+20 V
Número de Elementos por Chip	1
Ancho	5.26mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	102 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Longitud	6.25mm
Altura	1.12mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Tensión de diodo directa	1.1V