MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIRA90DP-T1-RE3, VDSS 30 V, ID 100 A, Mejora, SO-8 de 8 pines

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Código RS:
134-9698
Nº ref. fabric.:
SIRA90DP-T1-RE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

100A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

SO-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.15mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

102nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1.1V

Disipación de potencia máxima Pd

104W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

6.25mm

Altura

1.12mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

5.26 mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal N, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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