MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiR570DP-T1-RE3, VDSS 150 V, ID 77.4 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- Código RS:
- 228-2906
- Nº ref. fabric.:
- SiR570DP-T1-RE3
- Fabricante:
- Vishay
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- SiR570DP-T1-RE3
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- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 77.4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 150V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 7.9mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 46.9nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 104W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 77.4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 150V | ||
Serie TrenchFET | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 7.9mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 46.9nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 104W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El TrenchFET de canal N Vishay es un MOSFET de 150 V.
100 % Rg y UIS probados
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