MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SIR5623DP-T1-RE3, VDSS 60 V, ID 37.1 A, Mejora, SO-8 de 8 pines

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Código RS:
279-9952
Nº ref. fabric.:
SIR5623DP-T1-RE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

37.1A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

SO-8

Serie

SiR

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.024Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Disipación de potencia máxima Pd

59.5W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

33nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

5.15mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

El MOSFET de Vishay es de canal P y el transistor que lleva está fabricado de un material conocido como silicio.

MOSFET de potencia de nueva generación

Probado al 100 % en cuanto a Rg y UIS

Producto RDS x Qg FOM ultrabajo

Dispositivo completamente libre de plomo (Pb)

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