MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SIR4409DP-T1-RE3, VDSS 40 V, ID 60.6 A, Mejora, SO-8 de 8 pines

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Código RS:
279-9939
Nº ref. fabric.:
SIR4409DP-T1-RE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

60.6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

SO-8

Serie

SiR

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.009Ω

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

59.5W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

126nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

5.15mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

El MOSFET de Vishay es de canal P y el transistor que lleva está fabricado de un material conocido como silicio.

MOSFET de potencia de nueva generación

Probado al 100 % en cuanto a Rg y UIS

Producto RDS x Qg FOM ultrabajo

Dispositivo completamente libre de plomo (Pb)

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