MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIDR220DP-T1-RE3, VDSS 25 V, ID 100 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- Código RS:
- 204-7232
- Nº ref. fabric.:
- SIDR220DP-T1-RE3
- Fabricante:
- Vishay
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | 3,563 € | 35,63 € |
| 20 - 40 | 2,887 € | 28,87 € |
| 50 - 90 | 2,674 € | 26,74 € |
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- Código RS:
- 204-7232
- Nº ref. fabric.:
- SIDR220DP-T1-RE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 100A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 25V | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Serie | SiDR220DP | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.58mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 125W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 200nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 6.25mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 100A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 25V | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Serie SiDR220DP | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.58mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 125W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 200nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 6.25mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET Vishay de canal N de 25 V (D-S) tiene una relación QG, Qgd y Qgd/QGS optimizada que reduce la pérdida de potencia relacionada con la conmutación.
100 % RG y prueba UIS
MOSFET de potencia TrenchFET Gen IV
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